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ウェハマーキング
半導体・化合物半導体・パワー半導体

レーザによる半導体ウェハへの印字は、非接触のドライプロセスであり、微細・精巧、消えない、 クリーン、フレキシブル等、多くのメリットがあります。製造工程の自動化や高速化等、新たな観点で注目されています。

ウェハマーカ


Si、GaAsウェハの他 UVレーザ搭載モデルのSL473DT6/FT6では SiC、GaN等のウェハにも レーザーマーキングが可能です。 少生産仕様低価格モデル(DS6/DT6)、 多生産仕様高スループットモデル(FS6/FT6)、300mmウェハ専用モデル(GS6) 計5モデルをラインアップ(詳細は製品写真をクリック下さい)

ウェハマーカ SL473Dシリーズ 用途:ウェハマーキング
(Si , GaAs , SiC , GaN 等)
ウェハマーカ SL473Fシリーズ 用途:ウェハマーキング
(Si , GaAs , SiC , GaN 等)
ウェハマーカ SL473GS 用途:ベアSiウェハへのソフトマーキング、膜付きウェハへのマーキング